@MastersThesis{Mengui:2005:CrMBCa,
author = "Mengui, {\'U}rsula Andr{\'e}ia",
title = "Crescimento por MBE e caracteriza{\c{c}}{\~a}o de filmes SnTe e
heteroestruturas de SnTe/Sn1-x EuxTe sobre BaF2",
school = "Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)",
year = "2005",
address = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
month = "2005-02-28",
keywords = "f{\'{\i}}sica de materiais, microscopia de for{\c{c}}a
at{\^o}mica, epitaxia por peixe molecular, crescimento epitaxial,
filmes finos semicondutores, efeito hall no semicondutor,
materials physics, atomic force microscopy, molecular beam
epitaxy, growth epitaxy, semiconducting thin films, semiconductor
hall effect.",
abstract = "Este trabalho tem por objetivo a investiga{\c{c}}{\~a}o
sistem{\'a}tica das propriedades estruturais e el{\'e}tricas de
filmes epitaxiais de SnTe crescidos sobre substratos de BaF2
(111), bem como o estudo das propriedades estruturais de filmes de
Sn1-xEuxTe (0<xEu=0,12) crescidos sobre camadas
intermedi{\'a}rias de SnTe pr{\'e}-depositadas sobre substratos
de BaF2 (111). As amostras foram crescidas utilizando-se a
t{\'e}cnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) e
caracterizadas por difra{\c{c}}{\~a}o de raios X de alta
resolu{\c{c}}{\~a}o, microscopia de for{\c{c}}a at{\^o}mica
(AFM), microscopia eletr{\^o}nica de varredura (MEV),
perfilometria e medidas de resistividade e de Efeito Hall.
Inicialmente foram investigadas tr{\^e}s s{\'e}ries de amostras
de SnTe, com espessuras dos filmes variando desde 0,2 at{\'e} 9
µm. Atrav{\'e}s de medidas de difra{\c{c}}{\~a}o de raios X de
alta resolu{\c{c}}{\~a}o, verificou-se que todos os filmes
apresentaram-se monocristalinos e com par{\^a}metros de rede da
ordem de 6,330 Å e, das imagens de AFM verificou-se que a
superf{\'{\i}}cie dos filmes de SnTe {\'e} formada por
v{\'a}rias regi{\~o}es em forma de espiral. Uma estimativa da
densidade de threading dislocations (TD), realizada atrav{\'e}s
da contagem das discord{\^a}ncias na imagem de AFM da amostra com
espessura de 1,47 µm, indicou o valor aproximado de 8x108 cm-2. As
propriedades el{\'e}tricas apresentaram valores medidos de
mobilidade variando na faixa de 3,9x103 a 4,6x102 cm2/V.s, e de
resistividade na faixa de 1,3x10-5 a 1,5x10-4 O.cm, conforme a
temperatura foi aumentada de 10 a 300K. A concentra{\c{c}}{\~a}o
de portadores de cargas do tipo-p apresentou valores medidos da
ordem de 1,6x1020 cm-3. Na segunda parte do trabalho foi realizada
a investiga{\c{c}}{\~a}o das propriedades estruturais de uma
s{\'e}rie de filmes epitaxiais da liga semicondutora
magn{\'e}tica dilu{\'{\i}}da de Sn1-xEuxTe (0<xEu=0,12)
crescidos por MBE, sobre substratos de BaF2 (111). A
difra{\c{c}}{\~a}o de raios X de alta resolu{\c{c}}{\~a}o
mostrou, que para concentra{\c{c}}{\~a}o de Eu de 7,3 e 12%, a
presen{\c{c}}a de alguns picos adicionais relacionados com uma
separa{\c{c}}{\~a}o de fase, devido {\`a} forma{\c{c}}{\~a}o
de aglomerados de Eu nessas amostras. ABSTRACT: This work presents
a systematic investigation of structural and electrical properties
of SnTe epitaxial films grown on BaF2 substrates, as well as a
study of structural properties of Sn1-xEuxTe (0<xEu<0.12) films
grown on SnTe buffer layer pre-deposited on BaF2 substrates. The
samples were grown by molecular beam epitaxy and characterized by
high resolution x ray diffraction, atomic force microscopy,
scanning electron microscopy, perfilometry and resistivity and
Hall Effect measurements. Firstly a three series of samples with
thicknesses varying from 0.2 to 9 mm was studied. It could be seen
from high resolution x ray diffraction measurements that all
samples presented a single crystal structure and lattice
parameters of about 6.330 Å, and it was observed that SnTe film
surface has a mound formation with spiral shape. Threading
dislocations density was estimated from AFM images giving a mean
value of 8x108 cm-2. The measured values of mobility and
resistivity were in the range of 3.9x103 to 4.6x102 cm2/V.s and
1.3x10-5 to 1.5x10-4 W.cm, respectively, as the temperature was
increased from 10 to 300K. The layers presented a p-type carrier
concentration of order of 1.6x1020 cm-3. In the second part of
this work, an investigation of structural properties of a series
of Sn1-xEuxTe (0<xEu<0,12) epitaxial films was performed.
Highresolution x-ray diffraction showed the appearance of phase
separation in the samples with europium concentration of 7.3 and
12 %.",
committee = "Abramof, Eduardo (presidente) and Ueta, Antonio Yukio (orientador)
and Ferreira, Sukarno Olavo",
copyholder = "SID/SCD",
englishtitle = "MBE growth and characterization of films SnTe layers and
SnTe/Sn1-x EuxTe heterostructures on BaF2",
language = "pt",
pages = "117",
ibi = "6qtX3pFwXQZ3r59YD7/G3dt9",
url = "http://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZ3r59YD7/G3dt9",
targetfile = "publicacao.pdf",
urlaccessdate = "03 maio 2024"
}